SSD的第二波漲價潮，已然來襲。

三星電子與金士頓已于本周雙雙向渠道商下發(fā)官方調(diào)價通知，旗下SSD全系列產(chǎn)品漲幅均不低于10%，即刻生效。

這是4月內(nèi)存儲大廠發(fā)起的第二波集中漲價。本月初，三星與西部數(shù)據(jù)已悄然將部分高端M.2 SSD價格上調(diào)近兩倍，部分市場8TB旗艦盤標(biāo)價一度突破4000美元。

如今新舊兩輪漲價疊加，零售端價格徹底被推至歷史最高位。落到具體型號上，三星990 PRO 1TB目前海外售價約300-330美元，此輪上調(diào)10%后將沖擊330-360美元。去年同款產(chǎn)品售價還不到100美元，如今已暴漲3至4倍。國內(nèi)方面，常規(guī)國產(chǎn)PCIe 4.0 1TB固態(tài)硬盤價格已攀升至約900元，2TB型號約1500元。

由于三星與金士頓在行業(yè)內(nèi)的主導(dǎo)地位，其價格信號往往對整個市場形成示范效應(yīng)，預(yù)計其他廠商的跟漲動作在未來數(shù)周內(nèi)將逐步落地。

推動此輪漲價的核心驅(qū)動力仍然是上游NAND閃存顆粒成本持續(xù)升溫。

據(jù)TrendForce最新預(yù)估，2026年第二季度NAND Flash合約價將環(huán)比再增70%至75%，DRAM合約價也將季增58%至63%。TrendForce還指出，市場買家普遍預(yù)期客戶端SSD價格仍有進(jìn)一步上漲空間，即便目前PC端需求尚未出現(xiàn)明顯復(fù)蘇。此外，買家擔(dān)憂服務(wù)器端需求可能吸收現(xiàn)有產(chǎn)能，由此推動市場積極回補庫存，進(jìn)一步加劇供需緊張態(tài)勢。

NAND Flash價格暴漲的核心邏輯，在于供給端的主動收縮與需求端的超預(yù)期爆發(fā)形成的“強剪刀差”。供給端來看，經(jīng)歷2022-2024年連續(xù)三年的產(chǎn)能過剩后，全球存儲芯片龍頭企業(yè)（如三星、SK海力士、鎧俠）從2025年初開始集體調(diào)整產(chǎn)能策略：一方面大幅削減128層以下舊世代NAND Flash產(chǎn)線的資本開支，另一方面將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)向176層、232層等新一代3D NAND技術(shù)。據(jù)TrendForce統(tǒng)計，2025年全球NAND Flash總產(chǎn)能同比下滑15%，其中傳統(tǒng)消費級存儲芯片產(chǎn)能收縮幅度達(dá)25%。更關(guān)鍵的是，頭部廠商通過“控量保價”策略主動減少現(xiàn)貨市場投放，將更多晶圓優(yōu)先供應(yīng)給長期合約客戶，直接導(dǎo)致市場流通貨源銳減。

需求端的“井噴”則遠(yuǎn)超市場預(yù)期。AI革命的深化成為核心驅(qū)動力：AI服務(wù)器對高速大容量存儲的需求較傳統(tǒng)服務(wù)器增長5-8倍——單臺8卡AI服務(wù)器需配置2Tb以上的企業(yè)級SSD，而全球AI服務(wù)器出貨量2025年預(yù)計同比增長120%；智算中心的算力集群建設(shè)中，存儲容量需求隨算力規(guī)模呈指數(shù)級增長，僅國內(nèi)頭部云廠商2025年新增存儲采購量就達(dá)10EB（1000萬Tb）；消費電子領(lǐng)域，手機廠商為應(yīng)對AI大模型本地化需求，將旗艦機型存儲配置從128Gb普遍提升至512Gb甚至1Tb，帶動手機用NAND Flash單機用量增長3倍。

隨著 AI 產(chǎn)業(yè)推動存儲需求快速上升，三星與SK海力士已經(jīng)開始敲定具體的NAND Flash擴產(chǎn)方案。業(yè)內(nèi)消息稱，三星與SK 海力士都計劃在今年第 2 季度推進(jìn)最尖端 NAND 的“轉(zhuǎn)換投資”。

三星在2024年9月就已啟動280 層 V9 NAND 量產(chǎn)，但目前產(chǎn)能仍然很小，月產(chǎn)大約只有 15000 片晶圓左右。當(dāng)時，三星考慮到市場需求不足，只在平澤園區(qū)部署了初期量產(chǎn)線。

三星接下來準(zhǔn)備從今年第2季度開始擴大V9產(chǎn)能，重點放在中國西安的 X2 產(chǎn)線。目前西安 X2 仍主要生產(chǎn)6至7代舊款 NAND，而鄰近的X1產(chǎn)線向第8代 NAND 的轉(zhuǎn)換基本已經(jīng)完成。業(yè)內(nèi)正在討論的轉(zhuǎn)換投資規(guī)模約為月產(chǎn)4-5萬片晶圓。按照設(shè)備導(dǎo)入節(jié)奏，V9 NAND 預(yù)計從明年起正式進(jìn)入量產(chǎn)加速階段。

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示，三星原本打算在第1季度啟動西安 X2 的 V9 轉(zhuǎn)換，但日程推遲到第2季度。同時，平澤第1園區(qū)（P1）也在準(zhǔn)備相關(guān)投資，因此明年V9產(chǎn)品的生產(chǎn)占比可能會明顯提高。

SK 海力士方面同樣在推進(jìn)先進(jìn)NAND擴產(chǎn)。SK 海力士計劃在今年第2季度啟動 321 層第 9 代 NAND 的轉(zhuǎn)換投資，目標(biāo)是在清州 M15 確保月產(chǎn)約3萬片晶圓的V9產(chǎn)能。與目前約 2 萬片晶圓的水平相比，這次擴產(chǎn)力度相當(dāng)大。

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