長達半年的DDR內(nèi)存單邊上漲行情，近日在消費級市場迎來了價格下探。

有媒體報道稱，3月下旬，主流32GB DDR5套裝價格在一個月內(nèi)下跌近三成，部分型號甚至出現(xiàn)單日暴跌超百元的行情。DDR4等產(chǎn)品價格也有下降，在10%左右。

3月31日，在上海不夜城數(shù)碼廣場，澎湃新聞記者發(fā)現(xiàn)有位店主剛回收了一批二手的內(nèi)存，回收價較之前高峰期打了六折，他愿意以七折價格對外出售。從澎湃新聞記者跟多位經(jīng)銷商溝通結(jié)果來看，內(nèi)存條市場并不缺貨，只是價格奇高，導致銷量下滑。盡管目前價格下探，但經(jīng)銷商對價格反轉(zhuǎn)持懷疑態(tài)度。

在電商渠道，一條16G DDR5筆記本內(nèi)存條現(xiàn)在售價是1170元，前端時間價格為1300元，降幅為10%?？头硎?，要想大幅降價不太可能，價格還會在高處盤整。

本次價格回調(diào)呈現(xiàn)出顯著的“局部性”和“結(jié)構(gòu)性”特征，其核心驅(qū)動力在于消費電子需求疲軟與前期囤積庫存的集中釋放。

一位在上海虬江路的內(nèi)存條經(jīng)銷商對澎湃新聞記者表示，由于上游囤貨的人在拋貨套現(xiàn)，這段時間把DDR5價格“打下來”。至于為何選擇現(xiàn)在套現(xiàn)，他也說不清楚原因。

不過，他直言，由于內(nèi)存價格高企，導致其生意大受影響，銷量較高峰期大幅下滑。

消費級存儲芯片價格暴漲主要原因是存儲原廠把更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)向AI用的HBM等產(chǎn)品上，導致消費級存儲供應(yīng)不足，開始漲價。

但隨著存儲芯片價格暴漲，對消費電子終端的負面影響開始集中顯現(xiàn)。消費者除非剛需，否則會延后更換產(chǎn)品，這導致消費電子銷量承壓。

第三方機構(gòu)TrendForce集邦咨詢的報告，預估2026年全球筆電出貨量將下修至年減14.8%。

TrendForce表示，隨著關(guān)鍵零部件價格持續(xù)上升，筆記本電腦品牌為維持既有毛利結(jié)構(gòu)，將逐步反映成本至終端售價，在售價上行趨勢延續(xù)下，消費者購買決策轉(zhuǎn)趨保守，觀望情緒升溫，將進一步壓抑實際出貨動能。

中國信通院數(shù)據(jù)，2025年12月至2026年2月，國內(nèi)智能手機出貨量連續(xù)三個月同比下滑，降幅分別為29.4%、15.6%和12.6%。

海外市場的內(nèi)存條也同步跟進降價，海外流電商平臺數(shù)據(jù)顯示，海盜船VENGEANCE系列32GB DDR5-6400套裝從490美元的峰值回落至379.99美元，單套降價超110美元，跌幅達22%。

盡管本輪內(nèi)存條價格從高處有不小回撤，但業(yè)內(nèi)普遍認為，此次降價屬于?技術(shù)性回調(diào)?，而非行業(yè)趨勢的根本反轉(zhuǎn)。上游原廠（如三星、美光）的出廠報價并未明顯松動，產(chǎn)能仍向AI高端存儲傾斜，消費級供給恢復有限。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲器價格調(diào)查，2026年第二季因DRAM原廠積極將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、Server應(yīng)用，并采用“補漲”策略拉近各類產(chǎn)品價差，盡管終端市場面臨出貨下修風險，預估整體一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價格仍將季增58-63%。NAND Flash市場持續(xù)由AI、數(shù)據(jù)中心需求主導，全產(chǎn)品線連鎖漲價的效應(yīng)不減，預計第二季整體合約價格將季增70-75%。

TrendForce認為，PC DRAM部分，盡管整機需求出現(xiàn)下修，但原廠同步縮減對PC OEM、模組廠的供貨，導致原廠滿足率較低的PC OEM需加價向原廠或模組廠采購，對價格形成支撐。智能手機方面，手機DRAM合約價將較前一季持續(xù)走升。

不過，中芯國際CEO趙海軍之前在公司2025年第四季度業(yè)績交流會上表示，中低端手機需求見底預計在2026年第三季度。他認為，消費級存儲擴產(chǎn)時間快的話4個月，慢的話9個月，交付后晶圓廠馬上就可以生產(chǎn)消費級存儲器，加上到時候通道商也會釋放手里的囤貨，到時候需求有望反轉(zhuǎn)。