TrendForce：SK海力士，DRAM登頂?shù)谝?/h1>

2025-06-04 13:07

來源：澎湃新聞·澎湃號·湃客

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本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

集邦咨詢預(yù)計Q2 DRAM各主要應(yīng)用合約價將止跌回升。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫存，導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價延續(xù)2024年第四季以來的跌勢。

展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機業(yè)者陸續(xù)完成庫存去化，并積極生產(chǎn)整機，將帶動位元采購動能升溫，原廠出貨位元顯著季增。價格方面，預(yù)期各主要應(yīng)用的合約價皆將止跌回升，預(yù)估一般型DRAM合約價，以及一般型DRAM和HBM合并的整體合約價均將上漲。

具體來看，SK海力士排名上升至第一名。SK海力士表示：“第一季度，受人工智能開發(fā)競爭加劇和庫存補充需求等影響，存儲器市場情況改善速度顯著快于預(yù)期。順應(yīng)這一趨勢，公司擴(kuò)大了12層HBM3E、DDR5等高附加值產(chǎn)品的銷售?！?/p>

其針對HBM需求，因其產(chǎn)品特性，通常需要提前一年與客戶進(jìn)行供應(yīng)量協(xié)商。預(yù)計今年該產(chǎn)品將持續(xù)保持同比增長約一倍。因此，12層HBM3E的銷售將穩(wěn)步增長，預(yù)計在第二季度其銷售將占整個HBM3E比重的一半以上。

此外，從今年第一季度開始，公司向部分PC領(lǐng)域客戶供應(yīng)了面向人工智能PC的高性能存儲器模塊LPCAMM2。同時，公司也計劃與客戶緊密合作，在需求正式啟動時，及時供應(yīng)面向人工智能服務(wù)器的低功耗DRAM模塊SOCAMM。

三星排名下滑至第二名，這主要是受HBM3e改版大幅降低高單價產(chǎn)品出貨量等影響，營收季減幅度超過19%，為91億美元。三星電子正加速推進(jìn)其12層HBM3E（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品通過英偉達(dá)的品質(zhì)驗證測試，目標(biāo)在2025年7月至8月完成認(rèn)證。這一進(jìn)展被視為三星在AI算力芯片供應(yīng)鏈競爭中搶占先機的關(guān)鍵一步，但技術(shù)挑戰(zhàn)與市場格局的復(fù)雜性仍為其前景蒙上陰影。

根據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星12層HBM3E產(chǎn)品已基本通過英偉達(dá)的“單芯片認(rèn)證”，即對單個DRAM芯片性能的評估。然而，HBM3E的最終認(rèn)證需通過“成品認(rèn)證”，即對堆疊后的成品進(jìn)行性能與可靠性測試。此前，三星的8層HBM3E產(chǎn)品曾兩次通過單芯片認(rèn)證，但均因速度與功耗未達(dá)英偉達(dá)標(biāo)準(zhǔn)而未能通過成品認(rèn)證。

此次，三星針對12層HBM3E進(jìn)行了多項技術(shù)改進(jìn)，包括優(yōu)化第四代10納米級（1a）DRAM的結(jié)構(gòu)設(shè)計以提升速度，并組建超百人專項團(tuán)隊提升良率。但業(yè)內(nèi)人士指出，HBM3E的成品認(rèn)證難度遠(yuǎn)高于單芯片認(rèn)證，需在堆疊層數(shù)、散熱性能、信號完整性等多維度滿足英偉達(dá)的嚴(yán)苛要求。

第三名的Micron（美光科技）第一季HBM3e出貨規(guī)模擴(kuò)大，即便售價微幅季減，營收仍達(dá)65.8億美元，季增2.7%。去年9月，美光宣布推出12層堆疊的HBM3E，擁有36GB容量，面向用于人工智能（AI）和高性能計算（HPC）工作負(fù)載。到了今年2月，美光開始批量生產(chǎn)12層堆疊HBM3E，首先供應(yīng)給英偉達(dá)。雖然美光的HBM3E比起SK海力士來得要晚一些，但是上市銷售的推進(jìn)速度非?？?。美光表示全球人工智能市場的蓬勃發(fā)展大大提升了對其HBM芯片的需求，將繼續(xù)擴(kuò)大HBM產(chǎn)能和市場份額，以便在2025年實現(xiàn)連續(xù)增長。同時美光還確認(rèn)，2025年的HBM產(chǎn)能已經(jīng)售罄。

為此美光在12層堆疊HBM3E上押下了重注，預(yù)計最快在8月出貨量超過8層堆疊HBM3E，目標(biāo)第三季度末達(dá)到穩(wěn)定的良品率水平。與此同時，美光還加快了HBM4的步伐，預(yù)計2026年初進(jìn)入量產(chǎn)階段，緊隨SK海力士2025年末，雙方都將給英偉達(dá)B300等計算卡提供動力。

第四、第五、第六名分別為南亞科、華邦電子和力積電。其中南亞科的特定DDR5產(chǎn)品啟動出貨，抵銷了Consumer DRAM市況低迷的效應(yīng)，營收為2.19億美元，季增7.5%。華邦電子第一季高容量、平均位元售價較低的LPDDR4和DDR4產(chǎn)品放量出貨，帶動整體出貨量大幅成長，但售價下跌，營收為1.46億美元，季增22.7%。

力積電營收計算以自家生產(chǎn)的Consumer DRAM為主，因為投片規(guī)模萎縮，營收季減1.4%，為1,100萬美元。若加計DRAM代工業(yè)務(wù)，由于代工客戶采購動能放緩，營收季減13%。

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